理解IGBT:构造与工作原理
2023-01-24 05:49:49
IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件,是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的,性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。
IGBT的工作原理:IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
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IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件,是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的,性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。
IGBT的工作原理:IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。